现货，推荐
符合RoHS标准

IKB30N65ES5

650 V、30 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-263 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IKB30N65ES5
IKB30N65ES5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.32 mJ
  • Eon
    0.56 mJ
  • IC (@ 25°) max
    62 A
  • IC (@ 100°) max
    39.5 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    39.5 A
  • IFpuls max
    120 A
  • Irrm
    18 A
  • Ptot max
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    600 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    13 Ω
  • td(off)
    124 ns
  • td(on)
    17 ns
  • tf
    30 ns
  • tr
    12 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • Package
    D2PAK (TO-263-3)
  • Switching Frequency
    10 kHz to 40 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
受到推崇的
OPN
IKB30N65ES5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 D2Pak (TO263) 封装的硬开关 650 V、30 A TRENCHSTOP ™ 5 高速 IGBT 与全额定电流 Rapid 1 快速软反并联二极管共同封装，适用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用，以实现高效率、更快的上市周期、降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。

特性

  • 极低 VCEsat（25 °C 时为 1.35 V）
  • ICn=4x 标称电流 (100 °C Tc)
  • 软电流下降特性
  • 无尾电流
  • 对称、低电压过冲
  • 最大值Tvj=175 °C
  • 合格。雅高符合 JEDEC 标准
  • 栅极电压可控：
  • 无意外导通风险
  • 无需栅极钳位

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }