IKB30N65ES5
现货，推荐
符合RoHS标准

IKB30N65ES5

650 V、30 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-263 封装
数据手册
封装

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IKB30N65ES5
IKB30N65ES5
数据手册


商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.32 mJ
  • Eon
    0.56 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    62 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    39.5 A
  • 最高 ICpuls
    120 A
  • 最高 IF
    39.5 A
  • 最高 IFpuls
    120 A
  • Irrm
    18 A
  • 最高 Ptot
    188 W
  • QGate
    70 nC
  • Qrr
    600 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    13 Ω
  • td(off)
    124 ns
  • td(on)
    17 ns
  • tf
    30 ns
  • tr
    12 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263-3)
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 5 10-40 kHz
  • 开关频率 范围
    10 kHz 至 40 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

推荐的
OPN
IKB30N65ES5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
采用 D2Pak (TO263) 封装的硬开关 650 V、30 A TRENCHSTOP ™ 5 高速 IGBT 与全额定电流 Rapid 1 快速软反并联二极管共同封装，适用于在 10 kHz 和 40 kHz 之间切换的应用，以实现高效率、更快的上市周期、降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。

特性

  • 极低 VCEsat（25 °C 时为 1.35 V）
  • ICn=4x 标称电流 (100 °C Tc)
  • 软电流下降特性
  • 无尾电流
  • 对称、低电压过冲
  • 最大值Tvj=175 °C
  • 合格。雅高符合 JEDEC 标准
  • 栅极电压可控：
  • 无意外导通风险
  • 无需栅极钳位
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