不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKP06N60T

600 V、6 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO220 封装
数据手册
封装

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IKP06N60T
IKP06N60T
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.11 mJ
  • Eon
    0.09 mJ
  • IC (@ 100°) max
    6 A
  • IC (@ 25° ) max
    12 A
  • ICpuls max
    18 A
  • IF max
    12 A
  • IFpuls max
    18 A
  • Irrm
    5.3 A
  • Ptot max
    88 W
  • QGate
    42 nC
  • Qrr
    190 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    130 ns
  • td(on)
    9 ns
  • tf
    58 ns
  • tr
    6 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.6 V
  • Package
    TO-220-3
  • Switching Frequency
    2 kHz to 20 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™
  • Soft Switching
    No
OPN
IKP06N60TXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 600 V、6 A TRENCHSTOP ™ IGBT3 与全额定续流二极管一起封装在 TO220 封装中，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。系数。在 VCEsat
  • 易于并联切换
  • 非常柔软的反并联二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布

产品优势

  • 最高效率
  • 全面的产品组合
  • 高设备可靠性
  • 低传导和开关损耗

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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