IKQ100N60T
在产
符合RoHS标准
无铅

IKQ100N60T

600 V、100 A IGBT 分立器件,带反并联二极管,采用 TO-247PLUS 封装

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IKQ100N60T
IKQ100N60T
  • Eoff (Hard Switching)
    2.5 mJ
  • Eon
    3.1 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    100 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    160 A
  • 最高 ICpuls
    400 A
  • 最高 IF
    160 A
  • 最高 IFpuls
    400 A
  • Irrm
    23 A
  • 最高 Ptot
    714 W
  • QGate
    610 nC
  • Qrr
    2800 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    3.6 Ω
  • td(off)
    290 ns
  • td(on)
    30 ns
  • tf
    31 ns
  • tr
    38 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • VGE(th) 范围
    4.1 V 至 5.7 V
  • 封装
    TO-247PLUS-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
OPN
IKQ100N60TXKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 PLUS
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 PLUS
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247PLUS 封装的硬开关 600 V、100 A TRENCHSTOP ™ IGBT 技术。该封装具有与行业标准 TO-247 相同的外形尺寸,但由于没有螺丝孔,因此允许在 600 V 下达到 120 A。此外,背面有效导热垫的总面积也增加了,以提高封装的散热能力。

特性

  • 最高额定电流共封装
  • 100 A 和 120 A 时 600 V
  • 有效导热垫面积增大 35%
  • Rth(jh) 降低高达 20%
  • 爬电距离延长:
  • 4.25 毫米 – 比 TO-247 大 2 毫米
文档

设计资源

开发者社区

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