IKQ50N120CT2
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKQ50N120CT2

1200 V、50 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-247PLUS 封装
数据手册
封装

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IKQ50N120CT2
IKQ50N120CT2
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    3.3 mJ
  • Eon
    3.8 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    50 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    100 A
  • 最高 ICpuls
    300 A
  • 最高 IF
    50 A
  • 最高 IFpuls
    200 A
  • Irrm
    22 A
  • 最高 Ptot
    652 W
  • QGate
    235 nC
  • Qrr
    3900 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    312 ns
  • td(on)
    34 ns
  • tf
    50 ns
  • tr
    46 ns
  • tSC
    10 µs
  • VCE(sat)
    1.75 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • VF
    1.9 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    2-20 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 2
OPN
IKQ50N120CT2XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 PLUS
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 PLUS
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 1200 V、50 A TRENCHSTOP ™性能 IGBT2，具有软、快速恢复全电流额定反并联发射极控制二极管，采用 TO-247PLUS 封装，具有更高的电流能力。

特性

  • 75 A、1200 V IGBT
  • 与 75 A 二极管共同封装
  • TO-247 封装
  • 更低 Rth(jh)
  • 外部。集电极-发射极引脚爬电距离
  • 延长夹片爬电距离
  • 完全封装的正面
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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