不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKW25N120T2

1200 V、25 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IKW25N120T2
IKW25N120T2
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    2.05 mJ
  • Eon
    2.25 mJ
  • IC (@ 25° ) max
    50 A
  • IC (@ 100°) max
    25 A
  • ICpuls max
    100 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    100 A
  • Irrm
    24 A
  • Ptot max
    349 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    2050 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    16.4 Ω
  • td(off)
    340 ns
  • td(on)
    25 ns
  • tf
    164 ns
  • tr
    24 ns
  • VCE(sat)
    2.2 V
  • VCE max
    1200 V
  • VF
    1.65 V
  • Package
    TO-247-3
  • Switching Frequency
    2 kHz to 20 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 2
OPN
IKW25N120T2FKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 1200 V、25 A TRENCHSTOP ™ IGBT4 与续流二极管一起封装在 TO-247 封装中，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著改善器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。系数在 VCEsat
  • 易于并联开关能力
  • 非常柔软，快速恢复二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性行为
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布

文档

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