不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKW30N60DTP

600 V、30 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IKW30N60DTP
IKW30N60DTP
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.74 mJ
  • Eon
    0.99 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    53 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    38 A
  • 最高 ICpuls
    90 A
  • 最高 IF
    39 A
  • 最高 IFpuls
    90 A
  • Irrm
    16.6 A
  • 最高 Ptot
    200 W
  • QGate
    130 nC
  • Qrr
    1230 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10.5 Ω
  • td(off)
    220 ns
  • td(on)
    15 ns
  • tf
    59 ns
  • tr
    23 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • VGE(th) 范围
    4.1 V 至 5.7 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™Performance 2-30 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 30 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ Perf.
OPN
IKW30N60DTPXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 600 V、30 A TRENCHSTOP ™性能 IGBT，带有反并联二极管，采用 TO-247 封装。

特性

  • 更低的总开关损耗 (Ets)
  • 8 kHz 时 Ets 降低 7%
  • 15 kHz 时 Ets 降低 11%
  • 低速 dV/dt 开关。(<5V/ns)
  • 低 EMI
  • 改进的电池设计
  • 高可靠性

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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