不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKW50N60DTP

600 V、50 A IGBT 分立器件,带反并联二极管,采用 TO-247 封装
每件.
有存货

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IKW50N60DTP
IKW50N60DTP
每件.

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.39 mJ
  • Eon
    2.25 mJ
  • IC (@ 25°) max
    80 A
  • IC (@ 100°) max
    61 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    62 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    18.8 A
  • Ptot max
    319.2 W
  • QGate
    249 nC
  • Qrr
    2150 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    7 Ω
  • td(off)
    277 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    55 ns
  • tr
    34 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • VGE(th)
    4.1 V to 5.7 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    2 kHz to 30 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ Perf.
OPN
IKW50N60DTPXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
硬开关 600 V、50 A IGBT TRENCHSTOP ™性能采用 TO-247 封装,开关速度高达 30kHz,短路时间为 5µsec,EMI 低。

特性

  • 更低的总开关损耗 (Ets)
  • 8 kHz 时 Ets 降低 7%
  • 15 kHz 时 Ets 降低 11%
  • 低速 dV/dt 开关。(<5V/ns)
  • 低 EMI
  • 改进的电池设计
  • 高可靠性

文档

设计资源

开发者社区

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