现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKWH30N65WR5

650 V、30 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247-3-HCC 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IKWH30N65WR5
IKWH30N65WR5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.04 mJ
  • Eon
    0.87 mJ
  • IC (@ 25°) max
    60 A
  • IC (@ 100°) max
    30 A
  • ICpuls max
    90 A
  • IF max
    23 A
  • IFpuls max
    45 A
  • Irrm
    28.6 A
  • Ptot max
    95 W
  • QGate
    133 nC
  • Qrr
    2600 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    27 Ω
  • td(off)
    398 ns
  • td(on)
    41 ns
  • tf
    18 ns
  • tr
    20 ns
  • VCE(sat)
    1.4 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.3 V
  • VGE(th)
    4 V
  • Package
    TO-247-3-HCC
  • Switching Frequency
    20 kHz to 60 kHz
  • Technology
    TRENCHSTOP™ 5 WR5
受到推崇的
OPN
IKWH30N65WR5XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
高速 650 V、30 A 反向传导 TRENCHSTOP ™ 5 WR5 IGBT，采用高爬电距离和高电气间隙 TO-247-3-HCC 封装。它专门针对 RAC/CAC 中的 PFC 阶段和焊接应用中的 DC/DC 进行了优化。WR5 IGBT 出色的性价比使得对价格敏感的客户也能享受到高性能技术。TO-247-3-HCC 封装的 WR5 IGBT 还可以通过增加间隙和爬电距离来实现更可靠的设计。

特性

  • 最低 VCEsat1.4 V @ 25°C
  • 单片集成二极管
  • 最低 Ets
  • 良好的 Rg 可控性
  • 高爬电距离和电气间隙封装

产品优势

  • 极佳的性价比
  • 优化的二极管
  • 较低的 Tj 和 Tc，适合较低的散热器
  • 可靠地防止污染

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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