IKWH50N67PR7
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IKWH50N67PR7

670 V、50 A TRENCHSTOP ™ IGBT7 PR7，带反并联二极管，采用 TO-247-3 引脚高爬电距离和电气间隙封装
数据手册
封装

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IKWH50N67PR7
IKWH50N67PR7
数据手册

  • Eoff (Hard Switching)
    0.56 mJ
  • Eon
    0.98 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    65 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    105 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 IFpuls
    5 A
  • 最高 Ptot
    246 W
  • QGate
    127 nC
  • RG
    9.8 Ω
  • td(off)
    182 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    32 ns
  • tr
    19 ns
  • VCE(sat)
    1.4 V
  • 最高 VCE
    670 V
  • VGE(th)
    3.95 V
  • 封装
    TO-247-3-HCC
  • 开关频率 范围
    20 kHz 至 65 kHz
  • 技术
    TRENCHSTOP™ IGBT7

推荐的
OPN
IKWH50N67PR7XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 N/A
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 -
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
670 V、50 A PR7 采用 TO-247-3 引脚高爬电距离和间隙封装，专门针对升压 PFC 级（如 RAC/CAC 和 HVAC 应用）进行了优化。它是其后继产品，具有改进的 EMI 特性、一流的可靠性和稳健性，为高功率和高开关频率应用提供了先进的性能和更好的性价比。

特性

  • 通过降低 dv/dt 改善 EMI 行为
  • 25°C 时 V CEsat   极低 = 1.4 V（典型值） 更高的
  • V CE  = 670 V
  • 高爬电距离和间隙距离
  • V CEsat

产品优势

  • 更佳的 EMI 性能
  • 高切换性能先进
  • 更高的设计灵活性
  • 改进隔离以实现高可靠性
  • 轻松并行
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