现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMCQ120R034M2H

CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V G2，采用顶部冷却 Q-DPAK 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMCQ120R034M2H
IMCQ120R034M2H
每件.
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商品详情

  • Ciss
    1920 pF
  • Coss
    64 pF
  • ID (@25°C) max
    64 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    326 W
  • Qgd
    10.4 nC
  • QG
    48.7 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    34 mΩ
  • RthJA max
    67 K/W
  • RthJC max
    0.46 K/W
  • Tj max
    200 °C
  • VDS max
    1200 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PG-HDSOP-22
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    22 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMCQ120R034M2HXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1200 V、34 mΩ G2 采用顶部冷却 Q-DPAK 封装，专为广泛用于工业应用而设计。Q-DPAK封装解决方案为客户提供了出色的热性能、更简便的组装和更低的系统成本。顶部冷却的 Q-DPAK 单开关开创了冷却、能源效率、设计灵活性和性能的新时代。

特性

  • VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C
  • IDDC = 45 A @TC = 100°C
  • RDS(on) = 34 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • 极低的开关损耗
  • 过载运行最高可达 Tvj = 200°C
  • 短路耐受时间 2 µs
  • 基准栅极阈值电压
  • 具有抗寄生开启能力
  • 坚固的体二极管，适用于硬换向
  • .XT互连技术

产品优势

  • 出色的热性能
  • 提高能源效率
  • 更高的功率密度
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 降低 TCO 成本或 BOM 成本

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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