现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMDQ65R007M2H

CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2，采用 Q-DPAK 顶部冷却封装，7 mΩ
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMDQ65R007M2H
IMDQ65R007M2H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    196 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    6.7 mΩ
  • RthJC max
    0.16 K/W
  • VDS max
    650 V
  • Package
    PG-HDSOP-22
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMDQ65R007M2HXUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-22
封装名 Q-DPAK
包装尺寸 750
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
Q-DPAK 中的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V 第二代 (G2) 利用 G2 卓越的开关性能，同时还提供顶部冷却的优势。这项创新增强了目前采用 TOLT 封装的 CoolSiC ™和采用 Q-DPAK 封装的 CoolMOS ™的功能，从而促进了全面的系统级增强，包括减少电路板空间和 BOM 成本，以及最大化系统功率密度。

特性

  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 高稳健性和整体质量
  • 灵活的驱动电压范围
  • 支持单极驱动 (VGS,off=0)
  • 更低的热阻
  • 改进了与 .XT 的封装互连
  • 顶部冷却

产品优势

  • 节省 BOM 成本
  • 最大化单位成本的系统性能
  • 最高可靠性
  • 实现最高效率和功率密度
  • 简化组装和冷却
  • 水冷“就绪”
  • 允许无风扇或散热器的设计
  • 更低的杂散电感
  • 更好的门控

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