IMT65R260M1H
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IMT65R260M1H

采用 TOLL 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 650 V
数据手册
封装
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IMT65R260M1H
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    20 A
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    346 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    260 mΩ
  • 最高 VDS
    650 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    TOLL
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 极性
    N
  • 质量等级
    Industrial

OPN
IMT65R260M1HXUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT
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采用 TOLL 封装的 CoolSIC ™ MOSFET 650 V、260 mΩ 利用英飞凌 SiC 技术的优势，实现更高密度的设计和更高的开关频率操作。TOLL 的小尺寸和低寄生特性使其能够高效且有效地利用电路板空间，并且能够以更高的频率驱动 MOSFET，从而达到更高的功率密度。CoolSIC ™TOLL 封装提供的 MOSFET 650 V、260 mΩ 与 TOLL 也适用于 CoolMOS ™和 CoolGaN ™相辅相成，使其成为适用于各种系统的具有吸引力的一站式服务选择。这款 260 mΩ 产品适用于低功率系统中的特定高效设计，例如家用电器或低功率工业驱动器。它可以在硬通勤半桥和全桥拓扑中优化单位成本性能，并提高采用新兴图腾柱 PFC 等拓扑的系统的效率。

特性

  • 第一代 CoolSiC ™
  • 栅极电荷低
  • COSS中存储能量低
  • Qrr
  • 平坦 COSS
  • 平坦 RDS(on) 随温度变化

产品优势

  • 硬开关效率更高
  • 软开关效率更高
  • 体二极管硬换流
  • 高可靠性
  • 开尔文源
  • 开尔文源

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