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符合RoHS标准
无铅

IMW65R027M1H

CoolSiC ™ MOSFET 650V – SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,性能可靠且经济高效
每件.
有存货

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IMW65R027M1H
IMW65R027M1H
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    185 A
  • Ptot max
    189 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    27 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Package
    TO247
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
OPN
IMW65R027M1HXKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ MOSFET 技术利用碳化硅的强大物理特性,增加了独特的功能,从而提高了设备的性能、稳健性和易用性。IMW65R027M1H CoolSiC ™ MOSFET 650V 采用最先进的沟槽半导体制造,经过优化,可在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最高可靠性。该款 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,具有高性价比。

特性

  • 第一代 CoolSiC ™
  • 栅极电荷低
  • COSS中存储能量低
  • Qrr
  • 平坦 COSS
  • 平坦 RDS(on) 随温度变化

产品优势

  • 硬开关效率更高
  • 软开关效率更高
  • 体二极管硬换流
  • 高可靠性

文档

设计资源

开发者社区

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