在产
符合RoHS标准
无铅

IMW65R027M1H

CoolSiC ™ MOSFET 650V – SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，性能可靠且经济高效
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IMW65R027M1H
IMW65R027M1H
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    185 A
  • Ptot max
    189 W
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    27 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • Package
    TO247
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G1
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMW65R027M1HXKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC ™ MOSFET 技术利用碳化硅的强大物理特性，增加了独特的功能，从而提高了设备的性能、稳健性和易用性。IMW65R027M1H CoolSiC ™ MOSFET 650V 采用最先进的沟槽半导体制造，经过优化，可在应用中实现最低损耗，并在运行中实现最高可靠性。该款 SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装，具有高性价比。

特性

  • 第一代 CoolSiC ™
  • 栅极电荷低
  • COSS中存储能量低
  • Qrr
  • 平坦 COSS
  • 平坦 RDS(on) 随温度变化

产品优势

  • 硬开关效率更高
  • 软开关效率更高
  • 体二极管硬换流
  • 高可靠性

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }