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现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMY120R018CM2H

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CoolSiC™ MOSFET 混合单管 1200 V，采用 TO-247PLUS-4 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IMY120R018CM2H
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每件.
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商品详情

  • Ciss
    2885 pF
  • Coss
    134 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    80 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    280 W
  • Qgd
    16.8 nC
  • QG
    73 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    18 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.53 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    1200 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    PG-TO247-4-U10
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    4 Pins
  • 技术
    CoolSiC™ G2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IMY120R018CM2HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolSiC™ MOSFET 混合单管 1200 V、18 mΩ G2 采用 TO-247-4-引脚封装，将第 2 代 MOSFET 技术的先进功能与软开关 1200 V、81 A 发射极控制 7 硅二极管相结合。该创新解决方案专为太阳能 MPPT 级而设计，可为具有更高可靠性和更优化性能的系统提供增强的性能。

特性

  • VGS = 18V、Tvj = 25°C 时，RDS = 18mΩ
  • 反极性保护
  • 二极管 IF = 81 A @ Tc = 100°C
  • 开关损耗非常低
  • 基准栅极阈值电压， VGS(th) ) = 4.2 V
  • 寄生导通高鲁棒性
  • 软且低水平的 Qrr 二极管，Tc = 175°C 时 VF = 1.6 V

产品优势

  • 优化性能
  • 高可靠性
  • 高功率密度
  • 更好的散热效率
  • 易用性

应用

光伏

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }