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符合RoHS标准
无铅

IMYR140R011M2H

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CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1400 V G2，采用 TO-247PLUS-4 回流焊封装
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封装

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IMYR140R011M2H
IMYR140R011M2H
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商品详情

  • Ciss
    4830 pF
  • Coss
    168 pF
  • ID (@25°C) max
    162 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    580 W
  • Qgd
    30 nC
  • QG
    152 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    11.5 mΩ, 11 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.26 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1400 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    PG-TO247-4-U08
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    4 Pins
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMYR140R011M2HXLSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247PLUS-4 回流封装的 CoolSiC ™ MOSFET 分立器件 1400 V、11 mΩ G2 非常适合高输出功率应用，例如 EV 充电、ESS、CAV 和其他应用。CoolSiC ™ MOSFET G2 1400 V 技术是一项尖端技术，可提高热性能、功率密度和可靠性。该封装具有回流能力（可进行 3 次回流焊接），从而可降低热阻。

特性

  • VDSS = 1400 V，Tvj = 25°C
  • IDDC = 188 A，TC = 100°C
  • RDS(on)= 5.8 mΩ，VGS= 18 V，Tvj= 25°C
  • 极低的开关损耗
  • 封装背面 3x 可回流焊接
  • 过载运行最高可达 Tvj = 200°C
  • 短路耐受时间 2 µs
  • 基准栅极阈值电压 4.2 V
  • 具有抗寄生开启能力
  • 坚固的体二极管，适用于硬换向
  • .XT互连技术
  • 采用宽电源引脚 (2 毫米) 的封装

产品优势

  • 提高功率密度
  • 提高系统输出功率
  • 提高整体效率
  • 抵御瞬时过载的鲁棒性
  • 抵御雪崩条件的鲁棒性
  • 对抗米勒效应的鲁棒性
  • 系统设计简便
  • 轻松并行

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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