现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IMZA65R033M2H

CoolSiC ™ MOSFET 650 V G2，采用 TO-247-4 封装
数据手册
封装

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IMZA65R033M2H
IMZA65R033M2H
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    103 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    33 mΩ
  • RthJC max
    0.44 K/W
  • VDS max
    650 V
  • Package
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
受到推崇的
OPN
IMZA65R033M2HXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247-4 封装的 CoolSiC ™ MOSFET 650 V、33 mΩ G2 以第一代技术的优势为基础，能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。第二代在硬开关操作和软开关拓扑的关键品质因数方面都有显著改进，适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。

特性

  • 优异的品质因数 (FOM)
  • 同类最佳的 RDS(on)
  • 高稳健性和整体质量
  • 灵活的驱动电压范围
  • 支持单极驱动 (VGSoff=0)
  • 对开启效应具有最佳免疫力
  • 改进了与 .XT 的封装互连
  • 4 引脚封装

产品优势

  • 节省物料清单 (BOM)
  • 最大化单位成本的系统性能
  • 最高可靠性
  • 实现最高效率和功率密度
  • 易于使用
  • 与现有供应商完全兼容
  • 允许无风扇或散热器的设计
  • 开尔文源连接

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