IPA029N06NM5S

IPA029N06NM5S

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60V，采用 TO-220 FullPAK 封装（IPA029N06NM5S）
数据手册

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IPA029N06NM5S
IPA029N06NM5S
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    87 A
  • 最高 ID (@25°C)
    87 A
  • 最高 IDpuls
    348 A
  • 最高 Ptot
    38 W
  • QG (typ @10V)
    56 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.9 mΩ
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
采用 TO-220 FullPAK 封装 (IPA029N06NM5S) 的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60V 具有更高的功率密度、更高的效率、2.9mOhm 的低 RDS(on) 以及更低的系统成本。英飞凌功率 MOSFET 的 TO-220 FullPAK 封装产品组合为同步整流提供了完美的解决方案。这些产品针对电视电源、适配器、台式机和游戏等应用进行了优化。

特性

  • 低电压过冲
  • 低导通电阻 (RDS(on))
  • 无需 TO-220 封装中通常使用的电气隔离材料

产品优势

  • 所需并联数量更少
  • 产生的热量不会转移到印刷电路板
  • 产生的热量更少
  • 适合 TO-220 封装

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区