IPA050N10NM5S
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IPA050N10NM5S

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100V，采用 TO-220 FullPAK 封装（IPA050N10NM5S）
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封装
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IPA050N10NM5S
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商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    66 A
  • 最高 ID (@25°C)
    66 A
  • 最高 IDpuls
    264 A
  • 最高 Ptot
    38 W
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    5 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

OPN
IPA050N10NM5SXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
查看产品系列
采用 TO-220 FullPAK 封装 (IPA050N10NM5S) 的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100V 具有更高的功率密度、更高的效率、5.0mOhm 的低 RDS(on) 以及更低的系统成本。英飞凌功率 MOSFET 的 TO-220 FullPAK 封装产品组合为同步整流提供了完美的解决方案。这些产品针对电视电源、适配器、台式机和游戏等应用进行了优化。

特性

  • 低电压过冲
  • 低导通电阻 (RDS(on))
  • 电气隔离封装

产品优势

  • 所需并联数量更少
  • 电路板无热量
  • 产生热量更少
  • 适合 TO-220 封装
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