IPA060N06NM5S

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60V，采用 TO-220 FullPAK 封装（IPA060N06NM5S）
数据手册

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IPA060N06NM5S
IPA060N06NM5S
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商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • 最高 IDpuls
    224 A
  • 最高 Ptot
    33 W
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6 mΩ
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.67
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
这款采用 TO-220 FullPAK 封装的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60V（IPA060N06NM5S）旨在满足提高系统效率的要求，同时降低系统成本。其特点是 RDS(on) 低至 6.0mOhm。TO-220 FullPAK 产品组合扩展针对电视电源、台式机、适配器和游戏应用进行了优化。OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 采用 TO-220 FullPAK 封装，具有更高的功率密度和更高的效率，是同步整流的完美解决方案

特性

  • 低电压过冲
  • 低导通电阻 (RDS(on))
  • 无需 TO-220 封装中通常使用的电气隔离材料

产品优势

  • 所需并联数量更少
  • 产生的热量不会转移到印刷电路板
  • 产生的热量更少
  • 适合 TO-220 封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }