不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IPA126N10NM3S

OptiMOS ™ 3 功率 MOSFET 100V，采用 TO-220 FullPAK 封装（IPA126N10NM3S）
数据手册
封装

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IPA126N10NM3S
IPA126N10NM3S
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    39 A
  • ID (@25°C) max
    39 A
  • IDpuls max
    156 A
  • Ptot max
    33 W
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    12.6 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • Package
    TO-220 FullPAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.69
OPN
IPA126N10NM3SXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 OptiMOS ™ 3 功率 MOSFET 100V 旨在满足提高系统效率的要求，同时降低系统成本。该 MOSFET 采用 TO-220 FullPAK 封装产品组合扩展，导通电阻低至 12.6mOhm，针对电视电源、台式机、适配器和游戏应用进行了优化。随着功率密度的增加以及效率的提高，IPA126N10NM3S MOSFET 成为同步整流的完美解决方案。

特性

  • 低电压过冲
  • 低导通电阻 (RDS(on))
  • 电气隔离封装

产品优势

  • 所需并联更少
  • 电路板无热量
  • 产生热量更少
  • 适合 TO-220 封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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