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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IPA320N20NM3S

停产
OptiMOS ™ 3 功率 MOSFET 200V，采用 TO-220 FullPAK 封装（IPA320N20NM3S）
数据手册
封装

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IPA320N20NM3S
IPA320N20NM3S
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    26 A
  • ID (@25°C) max
    26 A
  • IDpuls max
    104 A
  • Ptot max
    38 W
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    32 mΩ
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.03
OPN
IPA320N20NM3SXKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3-312
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3-312
封装名 TO220 FullPAK
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
此 OptiMOS ™ 3 200 V TO-220 FullPAK MOSFET 旨在满足提高系统效率的要求，同时降低系统成本，提供 32mOhm RDS(on) 。该产品组合扩展针对电视电源、台式机、适配器和游戏应用进行了优化。由于功率密度增加和效率提高，它具有优化的性价比，使其成为同步整流的最佳解决方案。

特性

  • 低电压过冲
  • 低导通电阻 (RDS(on))
  • 电气隔离封装

产品优势

  • 所需并联数量更少
  • 电路板无热量
  • 产生热量更少
  • 适合 TO-220 封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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