IPA60R145CFD7

英飞凌对谐振高功率拓扑的回答
数据手册

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IPA60R145CFD7
IPA60R145CFD7
数据手册

商品详情

  • 最高 ID
    9 A
  • 最高 ID (@25°C)
    9 A
  • 最高 IDpuls
    58 A
  • 最高 Ptot
    27 W
  • QG (typ @10V)
    31 nC
  • QG
    31 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    145 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    145 mΩ
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3.5 V 至 4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    fast recovery diode
  • 预算价格€/1k
    1.2
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CoolMOS ™ CFD7 具有降低的栅极电荷 (Qg) 和改善的关断行为，与竞争产品相比，反向恢复电荷 (Qrr) 降低了 69%，并且具有市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性

  • 超快体二极管
  • 一流的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 最低 FOM RDS(on) x Qg 和 Eoss
  • 一流的 RDS(on)/封装组合

产品优势

  • 一流的硬换向坚固性
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率，卓越的易用性/性能平衡
  • 实现更高功率密度的解决方案

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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