IPAN60R180P7S
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IPAN60R180P7S

优化的超结 MOSFET，兼具高能效和易用性
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IPAN60R180P7S
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商品详情

  • 最高 ID
    18 A
  • 最高 ID (@25°C)
    18 A
  • 最高 IDpuls
    53 A
  • 最高 Ptot
    26 W
  • QG
    25 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    180 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    180 mΩ
  • Special Features
    Price-performance
  • 最高 VDS
    600 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220 FullPAK narrow leads
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.64

OPN
IPAN60R180P7SXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK narrow leads
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220 FullPAK narrow leads
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT,DE
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600V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后续产品。它在设计过程中不断平衡高效率的需求和易用性。CoolMOS ™第 7 代平台一流的 RonxA 和固有的低栅极电荷 (QG) 确保了其高效率。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适用于硬和谐振拓扑
  • 窄引线

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区