IPAW60R280P7S

优化的超结 MOSFET，兼具高能效和易用性
数据手册

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IPAW60R280P7S
IPAW60R280P7S
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    12 A
  • ID max
    12 A
  • IDpuls max
    36 A
  • Ptot max
    24 W
  • Qgd
    5 nC
  • QG
    18 nC
  • QG (typ @10V)
    18 nC
  • RDS (on) max
    280 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    280 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    5.27 K/W
  • Rth
    5.27 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO220 FullPAK wide creepage
  • Operating Temperature
    -40 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Special Features
    price/performance
  • Budgetary Price €/1k
    0.48
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
600V CoolMOS ™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后续产品。它在设计过程中不断平衡高效率的需求和易用性。CoolMOS ™第 7 代平台一流的 R onxA 和固有的低栅极电荷 (Q G) 确保了其高效率。

特性

  • 600V P7 可实现出色的 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
  • ESD 耐受性 ≥ 2kV (HBM 2 类)
  • 集成栅极电阻 R G
  • 坚固的体二极管
  • 提供多种通孔和表面贴装封装
  • 提供标准级和工业级零件

产品优势

  • 出色的 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss 可实现更高的效率
  • 易于使用
  • 通过阻止 ESD 故障的发生，在制造环境中易于使用
  • 集成的 R G 可降低 MOSFET 振荡灵敏度
  • MOSFET 适用于硬开关和谐振开关拓扑，例如 PFC 和 LLC
  • 在 LLC 拓扑中体二极管的硬换流期间具有出色的耐用性
  • 适用于各种终端应用和输出功率
  • 提供适用于消费和工业应用的零件

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }