新品
现货，推荐
符合RoHS标准

IPB018N10NM8

新品
OptiMOS™ 8 功率 MOSFET 100 V 标准电平驱动，采用 D2PAK
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPB018N10NM8
IPB018N10NM8
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    176 A
  • 最高 IDpuls
    704 A
  • 最高 Ptot
    357 W
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.82 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.4 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
IPB018N10NM8ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 高额定漏极电流ID
  • 阈值电压VGS(th)分布范围窄
  • 体二极管恢复特性柔和，反向恢复电荷Qrr>低
  • 100% 雪崩测试
  • 无铅引脚镀层；符合 RoHS 指令
  • 符合IEC61249-2-21标准的无卤素要求
  • 符合 J-STD-020 标准，湿敏等级 MSL 1
  • N 沟道，标准电平驱动

产品优势

  • 极具性价比的技术方案
  • 最低的导通损耗
  • 更优的均流性能
  • 优异的开关性能，体二极管恢复特性柔和
  • 使用简便、易于应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }