IPB018N10NM8
现货，推荐
符合RoHS标准

IPB018N10NM8

OptiMOS™ 8 功率 MOSFET 100 V 标准电平驱动，采用 D2PAK
数据手册
封装

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IPB018N10NM8
IPB018N10NM8
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    176 A
  • 最高 IDpuls
    704 A
  • 最高 Ptot
    357 W
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.82 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.4 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N

推荐的
OPN
IPB018N10NM8ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MX,MY
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX,MY
晶圆产地
AT

特性

  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 高额定漏极电流ID
  • 阈值电压VGS(th)分布范围窄
  • 体二极管恢复特性柔和，反向恢复电荷Qrr>低
  • 100% 雪崩测试
  • 无铅引脚镀层；符合 RoHS 指令
  • 符合IEC61249-2-21标准的无卤素要求
  • 符合 J-STD-020 标准，湿敏等级 MSL 1
  • N 沟道，标准电平驱动

产品优势

  • 极具性价比的技术方案
  • 最低的导通损耗
  • 更优的均流性能
  • 优异的开关性能，体二极管恢复特性柔和
  • 使用简便、易于应用
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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