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IPB034N06N3 G
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IPB034N06N3 G

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OptiMOS ™功率 MOSFET 60V,采用 D2PAK 7 引脚封装

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商品详情

  • 最高 ID
    100 A
  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • 最高 IDpuls
    400 A
  • 最高 Ptot
    167 W
  • QG (typ @10V)
    98 nC
  • QG
    98 nC
  • 最高 RDS (on)
    3.4 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.4 mΩ
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    7 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.58
OPN
IPB034N06N3GATMA2
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™功率 MOSFET 60V 是服务器、台式机和平板电脑充电器等开关模式电源 (SMPS) 中同步整流的完美选择。此外,这些设备可用于广泛的工业应用,包括电机控制、太阳能微型逆变器和快速开关 DC-DC 转换器。

特性

  • 电荷 x RDS(on)乘积 (FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 非常适合快速开关应用
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 级

产品优势

  • 最高的系统效率
  • 更少的并联需求
  • 更高的功率密度
  • 降低系统成本
  • 极低的电压过冲
文档

设计资源

开发者社区