现货，推荐
符合RoHS标准

IPB330P10NM

OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V，采用 D²PAK 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPB330P10NM
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每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -62 A
  • ID max
    -62 A
  • IDpuls max
    -248 A
  • Ptot max
    300 W
  • QG
    -189 nC
  • QG (typ @10V)
    -189 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    33 mΩ
  • RDS (on) max
    33 mΩ
  • VDS max
    -100 V
  • VGS(th)
    -2.1 V to -4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    P
  • Budgetary Price €/1k
    1.75
受到推崇的
OPN
IPB330P10NMATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 100 V 采用 D²PAK 封装，适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用，可降低中低功率应用的设计复杂性。易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。可提供正常水平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。

特性

  • 高和低开关频率
  • 雪崩强度
  • 标准尺寸表面贴装封装
  • 广泛的分销合作伙伴

产品优势

  • 支持各种应用
  • 性能稳定可靠
  • 标准引脚排列，方便更换
  • 提高供电安全性

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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