不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPB60R055CFD7

600V CoolMOS ™ CFD7 SJ MOSFET 集成快速体二极管，采用 D2PAK 封装，是谐振高功率拓扑的完美选择
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPB60R055CFD7
IPB60R055CFD7
数据手册

商品详情

  • ID max
    38 A
  • ID (@25°C) max
    38 A
  • IDpuls max
    153 A
  • Ptot max
    178 W
  • QG
    79 nC
  • QG (typ @10V)
    79 nC
  • RDS (on) max
    55 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    55 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    D2PAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    2.65
OPN
IPB60R055CFD7ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 600V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPB60R055CFD7 采用 D2PAK 封装，非常适合高功率 SMPS 中的谐振拓扑，例如服务器、电信和电动汽车充电站，可显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，与竞争对手相比，它具有更低的栅极电荷、更好的关断行为以及高达 69% 的反向恢复电荷减少。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • 低存储能量 COSS
  • 低 Qrr
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 软开关效率高
  • 更高的功率密度
  • 实现更高的功率密度

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }