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停产
已停产
符合RoHS标准

IPB70N12S3-11

停产
120 V、N 沟道、最大 11.3 mΩ、汽车 MOSFET、D2PAK、OptiMOS ™ -T
数据手册
封装

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IPB70N12S3-11
IPB70N12S3-11
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    70 A
  • IDpuls max
    280 A
  • Ptot max
    125 W
  • QG (typ @10V) max
    65 nC
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.3 mΩ
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th) max
    4 V
  • VGS(th) min
    2 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    D2PAK (PG-TO263-3)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™-T
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    0.83
OPN
IPB70N12S311ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • OptiMOS ™汽车功率 MOSFET
  • N沟道增强模式
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

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