IPC302NE7N3

数据手册

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IPC302NE7N3
IPC302NE7N3
数据手册

商品详情

  • EAS/雪崩能量
    40 mJ
  • RDS (on)
    1.2 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    100 mΩ
  • 最高 VBRDSS
    75 V
  • VDS
    75 V
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.8 V
  • 厚度
    175
  • 技术
    OptiMOS™ 3
  • 极性
    N
  • 模式
    Enhancement
  • 芯片尺寸 (-) 范围
    4.5 mm² 至 6.7 mm²
  • 芯片尺寸 (Y)
    4.5 mm
  • 芯片尺寸 (Area)
    30.15 mm²
  • 芯片尺寸 (X)
    6.7 mm
  • 输出驱动器
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌的 OptiMOS ™ 75V 功率 MOSFET 系列针对台式计算机和服务器中使用的 AC-DC 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流进行了优化。OptiMOS ™ 75V 器件具有业界领先的导通电阻 (R DS(on)) 和品质因数 (FOM) 特性，降低功率损耗并提高 SMPS DC-DC 转换器、太阳能微型逆变器以及电机控制和快速开关 D 类音频放大器在所有负载条件下的整体效率。

特性

  • “针对同步整流的优化技术“业界最低的
  • R DS(on)“全球最低的
  • FOM“极低的
  • Q g 和 Q gd

产品优势

  • “最高的系统效率
  • “更少的并联需求
  • “更高的功率密度
  • “降低系统成本
  • “极低的电压过冲

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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