IPD046N08N5
在产
符合RoHS标准

IPD046N08N5

业界领先的电信应用技术
数据手册
封装

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IPD046N08N5
IPD046N08N5
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    90 A
  • 最高 IDpuls
    360 A
  • 最高 Ptot
    125 W
  • Qgd
    9 nC
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.6 mΩ
  • 最高 RthJA
    75 K/W
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • Rth
    0.7 K/W
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.86

推荐的
OPN
IPD046N08N5ATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT,DE,MY
OptiMOS ™ 5 80V 是英飞凌最新一代功率 MOSFET，专为电信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些设备还可用于其他工业应用，如太阳能、低压驱动器和适配器。OptiMOS ™ 5 80V MOSFET 采用八种不同的封装，提供业界最低的 R DS(on)。

特性

  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率
  • 电容性能提高高达 44%
  • 与上一代产品相比，Rds(on) 降低 43%

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低电压过冲

应用

文档

设计资源

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