IPD18DP10LM
现货，推荐
符合RoHS标准

IPD18DP10LM

逻辑级 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
数据手册
封装

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IPD18DP10LM
IPD18DP10LM
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    -13.9 A
  • 最高 ID
    -13.9 A
  • 最高 IDpuls
    -56 A
  • 最高 Ptot
    83 W
  • QG (typ @4.5V)
    -21 nC
  • QG
    -42 nC
  • QG (typ @10V)
    -42 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    178 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    200 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    178 mΩ
  • 最高 VDS
    -100 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -2 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    P
  • 预算价格€/1k
    0.45
推荐的
OPN
IPD18DP10LMATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO252-3
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ P 通道 MOSFET 100 V 采用 DPAK 封装，适用于电池管理、负载开关和反极性保护应用，可降低中低功率应用的设计复杂性。易于与 MCU 接口、快速切换以及雪崩强度使其适用于高质量要求的应用。可提供正常水平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。

特性

  • 提供 4 种不同封装
  • 宽 RDS(on) 范围
  • 提供正常电平和逻辑电平
  • 针对各种应用进行了优化
  • 可从分销合作伙伴处获取

产品优势

  • 行业标准封装
  • 适用于高和低开关频率
  • 雪崩耐受性
  • 轻松连接到 MCU
  • 低负载、低 Qf 时效率更高
  • 降低设计复杂性
  • 能源效率

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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