IPD70N12S3-11
在产
符合RoHS标准

IPD70N12S3-11

120 V、N 沟道、最大 11.1 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T
多个 OPN 可用

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商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, China, Germany, Malaysia
  • 最高 ID (@25°C)
    70 A
  • 最高 IDpuls
    280 A
  • 最高 Ptot
    125 W
  • 最高 QG (typ @10V)
    65 nC
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    11.1 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • 最高 VDS
    120 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    DPAK (PG-TO252-3)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™T
  • 推出年份
    2016
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2030
  • 质量等级
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    0.74, 0.74

OPN
IPD70N12S311ATMA2 IPD70N12S311ATMA1
产品状态 active not for new design
英飞凌封装名称
封装名 DPAK DPAK
封装尺寸 2500 2500
封装类型 TAPE & REEL TAPE & REEL
湿度 1 N/A
防潮封装 NON DRY NON DRY
无铅 No No
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 DPAK
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • OptiMOS ™汽车功率 MOSFET
  • N沟道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品(符合 RoHS 标准)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备
文档

设计资源

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