现货，推荐
符合RoHS标准

IPF019N12NM6

120 V 下全面优化的最佳性能
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPF019N12NM6
IPF019N12NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    254 A
  • IDpuls max
    1016 A
  • Ptot max
    395 W
  • QG (typ @10V)
    113 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    120 V
  • VGS(th)
    2.6 V to 3.6 V
  • 封装
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.59
推荐的
OPN
IPF019N12NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
这是 D²PAK-7 引脚封装的正常级别 120 V MOSFET，导通电阻为 1.9 mOhm。IPF019N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

特性

  • RDS(on) 提升高达 58%
  • FOMg 提升高达 66%
  • Qrr 提升高达 90%
  • FOMoss 提升高达 35%
  • 与排名第二的替代方案相比，该技术具有以下特点：
  • RDS(on) 提升高达 51%
  • FOMg 提升高达 35%
  • Qrr 提升高达 6%
  • FOMoss 提升高达 45%

产品优势

  • 极低的导通电阻
  • 极低的反向恢复电荷
  • 优异的栅极电荷 x RDS(on)
  • 高雪崩能量额定值
  • 175°C 结温额定值
  • 无铅电镀
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • MSL1 级别

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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