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IPG16N10S4-61

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100 V、双 N 通道、最大 61 mΩ、汽车级 MOSFET、双 SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ -T2
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IPG16N10S4-61
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    16 A
  • IDpuls max
    64 A
  • Ptot max
    29 W
  • QG (typ @10V) max
    5.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    61 mΩ
  • RthJC max
    5.2 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th) min
    2 V
  • VGS(th) max
    3.5 V
  • Package
    dual SS08 (PG-TDSON-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-T2
  • Polarity
    N+N
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    0.41
OPN
IPG16N10S461ATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 双 N 通道正常电平增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • Dual Super S08 替代 DPAK
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 显著节省 PCB 面积
  • 降低系统级成本
  • 键合线长度为 200um，最大电流为 20A
  • 更大的源引线用于引线键合
  • 封装：PG-TDSON-8-4
  • 性能与 DPAK 相同，芯片尺寸相同
  • 用于热传递的裸露焊盘
  • 2 个 N 沟道 MOSFET；隔离引线框架

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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