不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPG20N04S4L-11

40 V、双 N 通道、最大 11.6 mΩ、汽车 MOSFET、双 SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ -T2
每件.
有存货

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IPG20N04S4L-11
IPG20N04S4L-11
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    20 A
  • IDpuls max
    80 A
  • Ptot max
    41 W
  • QG (typ @10V) max
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    20 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    11.6 mΩ
  • RthJC max
    3.7 K/W
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.2 V to 2.2 V
  • Package
    dual SS08 (PG-TDSON-8)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-T2
  • Launch year
    2011
  • Polarity
    N+N
  • Currently planned availability until at least
    2030
  • Qualification
    Automotive
  • Budgetary Price €/1k
    0.34
OPN
IPG20N04S4L11ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 Dual SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 Dual SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

特性

  • 双 N 沟道逻辑电平增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品(符合 RoHS 标准)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备
  • Dual Super S08 替代 DPAK

产品优势

  • 显著节省 PCB 面积
  • 降低系统级成本
  • 键合线长度为 200um,最大电流为 20A
  • 更大的源引线用于引线键合
  • 封装:PG-TDSON-8-4
  • 性能与 DPAK 相同,芯片尺寸相同
  • 用于热传递的裸露焊盘
  • 2 个 N 沟道 MOSFET;隔离引线框架

文档

设计资源

开发者社区

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