在产
符合RoHS标准

IPG20N04S4L-18A

40 V、双 N 通道、最大 18 mΩ、汽车级 MOSFET、SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ -T2
数据手册
封装

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IPG20N04S4L-18A
IPG20N04S4L-18A
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    China, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • 最高 ID (@25°C)
    20 A
  • QG (typ @10V)
    10.5 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    15 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    26 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    18 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    PG-TDSON-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™T2
  • 推出年份
    2019
  • 极性
    N+N
  • 目前计划的可用性至少到
    2030
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IPG20N04S4L18AATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Dual SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • OptiMOS ™ -T2 功率晶体管
  • 双 N 通道 - 增强模式
  • 逻辑电平增强模式
  • 符合 AEC Q101 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色产品（符合 RoHS 标准）
  • 100% Avalanche 测试
  • 可进行自动光学检测 (AOI)
  • 支持 PPAP 的设备

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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