IPI80N06S4L-07

60 V、N 沟道、最大 6.4 mΩ、汽车 MOSFET、I2PAK、OptiMOS ™ -T2
数据手册

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IPI80N06S4L-07
IPI80N06S4L-07
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    80 A
  • 最高 IDpuls
    320 A
  • 最高 Ptot
    79 W
  • 最高 QG (typ @10V)
    75 nC
  • QG (typ @10V)
    58 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.4 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.9 K/W
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    I2PAK (PG-TO262-3)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™T2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    0.65
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • N 通道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色封装（无铅）
  • 超低 RDS(on)
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 最高电流能力
  • 最低的开关和传导损耗
  • 最高热效率
  • 坚固的包装和卓越的品质
  • 优化总栅极电荷
  • 更小的驱动器输出级

应用

文档

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设计资源

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