不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPL60R365P7

优化的功率 MOSFET，兼具高能效和易用性
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPL60R365P7
IPL60R365P7
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • IDpuls max
    26 A
  • Ptot max
    46 W
  • Qgd
    4 nC
  • QG (typ @10V)
    13 nC
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) max
    365 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    365 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    2.73 K/W
  • Rth
    2.73 K/W
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Thin-PAK 8x8
  • 工作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    5 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    price/performance
  • 预算价格€/1k
    0.7
OPN
IPL60R365P7AUMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-VSON-4
封装名 Thin-PAK 8x8
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2a
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-VSON-4
封装名 Thin-PAK 8x8
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2a
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
600V CoolMOS ™ P7 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后续产品。它在设计过程中不断平衡高效率的需求和易用性。CoolMOS ™第 7 代平台一流的 R onxA 和固有的低栅极电荷 (Q G) 确保了其高效率。

特性

  • 600V P7 可实现出色的 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
  • ESD 耐受性 ≥ 2kV (HBM 2 类)
  • 集成栅极电阻 R G
  • 坚固的体二极管
  • 提供多种通孔和表面贴装封装
  • 提供标准级和工业级零件

产品优势

  • 出色的 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss 可实现更高的效率
  • 易于使用
  • 通过阻止 ESD 故障的发生，在制造环境中易于使用
  • 集成的 R G 可降低 MOSFET 振荡灵敏度
  • MOSFET 适用于硬开关和谐振开关拓扑，例如 PFC 和 LLC
  • 在 LLC 拓扑中体二极管的硬换流期间具有出色的耐用性
  • 适用于各种终端应用和输出功率
  • 提供适用于消费和工业应用的零件

文档

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