IPL65R1K0C6S

数据手册

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IPL65R1K0C6S
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数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    4.2 A
  • ID max
    4.2 A
  • IDpuls max
    12.3 A
  • Ptot max
    34.7 W
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • QG
    15 nC
  • RDS (on) max
    1000 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1000 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    3.6 K/W
  • Rth
    3.6 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    2.5 V to 3.5 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    Thin-PAK 5x6
  • 工作温度 min
    -40 °C
  • 引脚数量
    5 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.49
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
ThinPak 5x6 封装是一种无引线 SMD 封装，专为高压 MOSFET 而设计。这种新封装的占用空间非常小，仅为 5x6mm 2 并且厚度非常小，只有 1 毫米高。 显著减小的封装尺寸与其基准低寄生电感相结合，可以用作减小功率密度驱动设计中系统解决方案尺寸全新有效的方法。ThinPak 5x6 封装的特点是源极电感极低，仅为 1.6 nH，而散热性能仍与 DPAK 相似。该封装可实现更快、更高效的功率MOSFET 开关，并且在开关行为和 EMI 方面更易于处理。

特性

  • 小尺寸 (5x6mm²)
  • 薄型 (1mm)
  • 低寄生电感
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素模塑料

产品优势

  • 减少电路板空间消耗
  • 提高功率密度
  • 缩短换向回路
  • 产品易于使用
  • 环保

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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