不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPLK70R1K2P7

采用 ThinPAK 5x6 封装的 700 V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET
数据手册
封装

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IPLK70R1K2P7
IPLK70R1K2P7
数据手册

商品详情

  • ID max
    4.4 A
  • ID (@25°C) max
    4.4 A
  • IDpuls max
    9.4 A
  • Ptot max
    25.5 W
  • QG
    4.8 nC
  • QG (typ @10V)
    4.8 nC
  • RDS (on) max
    1200 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    1200 mΩ
  • VDS max
    700 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    Thin-PAK 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.3
OPN
IPLK70R1K2P7ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Thin-PAK 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Thin-PAK 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
700 V CoolMOS™ P7 N 沟道超结 (SJ) MOSFET 系列专为满足当今，尤其是未来的反激拓扑趋势而开发。该技术适用于低功耗 SMPS 市场，主要侧重于手机充电器和笔记本电脑适配器，但同样适用于照明应用、家庭娱乐（电视、游戏机或音频）中使用的电源，以及辅助电源。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关高效率
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适用于硬和谐振拓扑
  • 实现高功率密度
  • 实现更好的控制
  • 开尔文源

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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