不建议用于新设计
符合RoHS标准

IPLK80R750P7

采用 ThinPAK 5x6 封装的 800 V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET
数据手册
封装

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IPLK80R750P7
IPLK80R750P7
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    7 A
  • ID max
    7 A
  • IDpuls max
    17 A
  • Ptot max
    57 W
  • QG (typ @10V)
    17 nC
  • QG
    17 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    750 mΩ
  • RDS (on) max
    750 mΩ
  • VDS max
    800 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    SMT
  • Package
    Thin-PAK 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Pin Count
    8 Pins
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.49
OPN
IPLK80R750P7ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Thin-PAK 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Thin-PAK 5x6
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
凭借 800 V CoolMOS™ P7 系列，英飞凌在 800 V 超结技术方面树立了基准，并将一流的性能与最先进的易用性相结合。坚固的栅极模块、体二极管以及快速简洁的开关特性使该产品系列成为基于反激式的消费类开关电源应用的理想之选。它还适用于消费类PFC平台、太阳能、适配器、音频、照明应用。

特性

  • CoolMOS ™ 7 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关高效率
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适用于硬和谐振拓扑
  • 实现高功率密度
  • 实现更好的控制
  • 开尔文源

文档

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