现货，推荐
符合RoHS标准

IPP050N10NF2S

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V，采用 TO-220 封装
数据手册

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IPP050N10NF2S
IPP050N10NF2S
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    110 A
  • IDpuls max
    440 A
  • Ptot max
    150 W
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Battery voltage
    48-72 V
  • Budgetary Price €/1k
    0.88
受到推崇的
OPN
IPP050N10NF2SAKMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 5.0 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，IPP050N10NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 50% 以上。

特性

  • 可从分销合作伙伴处获取
  • 卓越的性价比
  • 适用于高和低开关频率
  • 行业标准尺寸封装
  • 高额定电流
  • 可进行波峰焊

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 合适的产品
  • 支持各种各样的应用
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 提高电流承载能力
  • 易于制造

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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