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符合RoHS标准
无铅

IPP50R190CE

数据手册
封装

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IPP50R190CE
IPP50R190CE
数据手册

商品详情

  • 最高 ID
    18.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    18.5 A
  • 最高 IDpuls
    63 A
  • 最高 Ptot
    127 W
  • QG
    47.2 nC
  • QG (typ @10V)
    47.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    190 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    190 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.98 K/W
  • Rth
    3.9 K/W
  • 最高 VDS
    500 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Price-performance
  • 预算价格€/1k
    0.72
推荐的
OPN
IPP50R190CEXKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
500V CoolMOS ™ CE 是一个性价比优化的平台，能够满足消费和照明市场中成本敏感的应用，同时仍能满足最高的效率标准。新系列具有快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性，并提供了市场上最佳的成本性能比。

特性

  • CoolMOS ™ CE 系列
  • 低栅极电荷
  • COSS中的低存储能量
  • 集成栅极电阻
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

产品优势

  • 更好的控制
  • 硬开关效率高
  • 更高的功率密度
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

文档

文档

设计资源

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