在产
符合RoHS标准
无铅

IPP65R150CFD

数据手册
封装

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IPP65R150CFD
IPP65R150CFD
数据手册

商品详情

  • ID max
    22.4 A
  • ID (@25°C) max
    22.4 A
  • IDpuls max
    72 A
  • Ptot max
    195.3 W
  • QG
    86 nC
  • QG (typ @10V)
    86 nC
  • RDS (on) max
    150 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    150 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.64 K/W
  • Rth
    0.64 K/W
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO220, TO220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Special Features
    fast recovery diode
  • Budgetary Price €/1k
    1.41
受到推崇的
OPN
IPP65R150CFDXKSA2 IPP65R150CFDXKSA1
产品状态 active discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
PG-TO220-3
封装名 TO220 TO220
包装尺寸 500 500
包装类型 TUBE TUBE
湿度 NA NA
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
650V CoolMOS ™ CFD2 的替代品是 600V CoolMOS ™ CFD7 650V CoolMOS ™ CFD2 是英飞凌第二代市场领先的高压 CoolMOS ™ MOSFET，带有集成快速体二极管。CFD2 器件是 600 V CFD 的后继产品，能效更高。与竞争对手的器件相比，更柔和的换向特性以及更好的 EMI 特性使该产品具有明显的优势。

特性

  • 集成快速体二极管，650 V
  • 硬开关中的低电压过冲
  • 显著降低 Q G
  • 更紧密的 R DS(on)max 至 R DS(on)typ 窗口
  • 易于设计

产品优势

  • 由于低 Q rr 而导致的低开关损耗
  • 自限制 di/dt 和 dv/dt
  • 低 Qoss
  • 减少开启和关闭延迟时间
  • 卓越的 CoolMOS ™品质

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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