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IPP80N08S4-06
停产
已停产
符合RoHS标准

IPP80N08S4-06

停产
80 V、N沟道、5.5 mΩ（最大值）、汽车MOSFET、TO-220、OptiMOS ™ -T2
数据手册
封装
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IPP80N08S4-06
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数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany, Malaysia
  • 最高 ID (@25°C)
    80 A
  • 最高 IDpuls
    320 A
  • 最高 Ptot
    150 W
  • 最高 QG (typ @10V)
    70 nC
  • QG (typ @10V)
    52 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    5.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1 K/W
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    TO220 (PG-TO220-3)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™T2
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
  • 预算价格€/1k
    1.23
OPN
IPP80N08S406AKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • N 通道 - 增强模式
  • 符合汽车 AEC Q101 标准
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 绿色封装（无铅）
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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