不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IPP90R800C3

数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPP90R800C3
IPP90R800C3
每件.
数据手册

商品详情

  • 最高 ID
    6.9 A
  • 最高 ID (@25°C)
    6.9 A
  • 最高 IDpuls
    15 A
  • 最高 Ptot
    104 W
  • QG
    42 nC
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • 最高 RDS (on)
    800 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    800 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • Rth
    1.2 K/W
  • 最高 VDS
    900 V
  • VGS(th) 范围
    2.5 V 至 3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    price/performance
OPN
IPP90R800C3XKSA2
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CoolMOS ™ C3 的替代品是 CoolMOS ™ P7 900V CoolMOS ™ C3 是英飞凌的第三系列 CoolMOS ™ ，于 2001 年进入市场。C3 是该投资组合的“主力”。

特性

  • 低电阻 (RDS(on)*A)
  • O/P 中的 Eoss @400V
  • 低栅极电荷 (Qg)
  • 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
  • 自 1998 年以来制造的 CoolMOS ™技术

产品优势

  • 更高的开关频率
  • 更高的功率密度
  • 更高的效率
  • MOSFET 适合硬谐振拓扑

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }