IPS110N12N3 G

数据手册

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IPS110N12N3 G
IPS110N12N3 G
数据手册

商品详情

  • Ciss
    3240 pF
  • Coss
    408 pF
  • 最高 ID
    75 A
  • 最高 IDpuls
    300 A
  • 最高 Ptot
    136 W
  • QG (typ @10V)
    49 nC
  • 最高 RDS (on)
    11 mΩ
  • Rth
    1.1 K/W
  • 最高 VDS
    120 V
  • VGS(th) (typ) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th) (typ)
    3 V
  • 封装
    IPAK SL (TO-251 SL)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
120V OptiMOS ™系列同时提供业界最低的导通电阻和最快的开关行为，从而能够在广泛的应用中实现出色的性能。120V OptiMOS ™技术为优化解决方案提供了新的可能性。

特性

  • 卓越的开关性能
  • 全球最低的 RDS(on)
  • 极低的 Qg 和 Qgd
  • 卓越的栅极电荷 x RDS(on) 乘积 (FOM)
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 评级为 2

产品优势

  • 环保
  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 所需并联更少
  • 最小的电路板空间消耗
  • 易于设计的产品

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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