现货，推荐
符合RoHS标准

IPT009N06NM5

OptiMOS ™ 5 N沟道功率MOSFET 60 V 0.9 mΩ 采用TOLL封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IPT009N06NM5
IPT009N06NM5
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    427 A
  • IDpuls max
    1708 A
  • QG (typ @10V)
    171 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.9 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    2.69
推荐的
OPN
IPT009N06NM5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的 TO-Leadless 封装针对叉车、轻型电动车 (LEV)、负载点 (POL) 和电信等大电流应用进行了优化。该封装是高功率应用的完美解决方案，适用于需要最高效率、出色的 EMI 行为以及最佳热性能和减少空间的应用。

特性

  • 高额定电流 >400 A
  • 与 D2PAK 相比，节省空间和封装
  • 极低的封装寄生电感
  • 由于焊料接触面积增大，显著降低了电迁移

产品优势

  • 最高效率和系统成本降低
  • 更少的并联和冷却需求
  • 实现紧凑设计
  • 高可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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