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IPT210N25NFD
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IPT210N25NFD

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IPT210N25NFD
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商品详情

  • Ciss
    5300 pF
  • Coss
    300 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    69 A
  • 最高 IDpuls
    276 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    21 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • Rth
    0.2 K/W
  • Special Features
    Fast Diode
  • Tj 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 最高 VDS
    250 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    144-200 V

OPN
IPT210N25NFDATMA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
AT
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
AT
查看产品系列
英飞凌的 TO-Leadless 封装针对叉车、轻型电动车 (LEV)、POL（负载点）和电信等大电流应用进行了优化。PG-HSOF 是高功率应用的完美解决方案，此类应用需要最高的效率、出色的 EMI 行为、最佳的热行为以及减小的空间

特性

  • 业界最低的 R DS(on)
  • 最高电流能力 >480A
  • 低封装寄生效应和电感

产品优势

  • 更少的并联和冷却需求
  • 最高的系统可靠性
  • 降低系统成本
  • 实现非常紧凑的设计
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